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品牌简介：英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、移动性和安全性，为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年（截止到2011年9月份），公司实现销售额39.97亿欧元，
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  • 英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
    • 其中，英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF)，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，具有更高的带载能力，可驱动 MOSFET和IGBT，为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
    2023-12-27 736次
  • 英飞凌门极驱动正压对功率半导体性能影响
    • 对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
    2023-12-22 687次
  • Neutron Controls与英飞凌合作汽车电池管理平台
    • 英飞凌科技的解决方案可帮助工程师开发可靠的汽车电池管理系统(BMS)。英飞凌首选设计公司Neutron Controls现已发布ECU8™系统平台，能够加速基于英飞凌芯片组的电池管理系统(BMS)开发。通过该平台，Neutron Controls及其设计服务客户可以为电池管理单元提供完整的半导体硬件和软件平台解决方案，并符合ASIL-D, ISO26262标准，从而显著减少开发工作量。
    2023-10-30 1417次
  • 英飞凌完成收购氮化镓系统公司GaN Systems
    • 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems，以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。
    2023-10-30 1507次
  • 英飞凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
    • EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板，内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器，驱动六个额定电压为150V的 OptiMOS™ MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 1992次
  • 英飞凌携手英飞源拓展新能源汽车充电市场
    • 英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的效率。
    2023-10-12 897次
  • 英飞凌160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
    • MOTIX™三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX™品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5 mm² QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。
    2023-07-21 898次
  • 英飞凌新能源“东风”下的碳化硅(SiC)
    • 所谓第三代半导体，指的是以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，具备高频、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，因此在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。
    2023-07-07 1100次
  • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板
    • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET)。EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
    2023-06-28 860次
  • 英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块
    • 英飞凌科技股份公司为了满足上述需求，在其 CoolSiC™功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1。这些功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术，封装为XHP™ 2，专门针对牵引应用量身定制。
    2023-06-28 960次
  • 辅助驾驶毫米波雷达信号处理器
    • 毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器，由于受气象变化、可见光强弱影响较小，测距较精准，可以和摄像头取长补短，共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求，而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能要求和测试规程》(JT/T1242-2019)于2019年4月1日起正式实施。该标准规定了营运车辆自动紧急制动(AEB)系统的一般要求、功能要求、环境适应性要求和测试规程。
    2023-06-28 805次
  • 英飞凌OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET
    • 英飞凌OptiMOS™ 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。
    2023-06-28 706次
  • 英飞凌面向物联网产品的Wi-Fi 6/6E指南
    • Wi-Fi联盟在2021年1月宣布推出Wi-Fi 6E认证计划时指出：“Wi-Fi 6E将引领Wi-Fi的下一个20年。”表1给出了Wi-Fi的发展历史，以及它与电气和电子工程师协会IEEE 802.11标准之间的联系。IEEE制定了无线局域网标准和许多其他标准。Wi-Fi联盟支持IEEE所制定的Wi-Fi标准，包括认证以及世界各国政府如何分配可使用的频率等。
    2023-05-26 704次
  • 英飞凌ISO 26262 ASIL-B高分辨率车规级ToF图像传感器
    • 英飞凌是首家提供符合ISO 26262 ASIL-B功能性安全要求的高分辨率车规级ToF图像传感器的公司。ISO 26262 ASIL-B标准定义了功能安全领域的最新技术水平。车内任何可能影响乘员安全的器件都必须符合该标准。
    2023-05-26 953次
  • 英飞凌碳化硅晶圆黑科技：冷切割技术
    • 英飞凌还有一个增加晶圆利用率的独门黑科技：冷切割(cold split)技术。几年前英飞凌收购了一家名为SILTECTRA的科技公司，其核心技术“冷切割”，是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌目前已经开始将这项技术用于SiC晶锭的切割上，从而让单个晶锭可出产的芯片数量翻番。在未来，这项技术还可以用于晶圆制作过程中的切割，进一步提高芯片产量。
    2023-05-19 951次
  • 英飞凌AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙系统级芯片支持最新蓝牙5.4规范
    • 英飞凌近日宣布，AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙系统级芯片(SoC)将支持最新的蓝牙5.4规范。凭借其低功耗与高性能完美结合，AIROC™ CYW20829可支持完整的低功耗蓝牙(LE)用例，包括智能家居、传感器、医疗看护、照明、蓝牙mesh网络、远程控制、人机交互设备(鼠标、键盘、虚拟现实和游戏控制器)、工业自动化以及汽车等。
    2023-05-18 879次
  • 英飞凌技术智能高边开关的开路检测
    • 智能高边开关的负载开路检测，负载开路故障主要是由两种原因引起，一种是导线断裂，另一种是负载损坏。按照要求，当汽车转向灯断开时，需要用加倍的闪烁频率来提示故障。而其他类型的负载开路故障则通常由OEM进行定义，但控制单元首先要得到故障信息，而英飞凌的智能高边芯片(PROFET)可以对开路进行检测并报告。
    2023-05-11 1155次
  • 英飞凌与Schweizer合作车用碳化硅解决方案
    • 英飞凌和 Schweizer Electronic宣布携手合作，通过创新进一步提升碳化硅(SiC)芯片的效率。双方正在开发一款新的解决方案，旨在将英飞凌的 1200 V CoolSiC™ 芯片直接嵌入 PCB 板，以显著提高电动汽车的续航里程，并降低系统总成本。
    2023-05-11 1006次
  • ToF 3D图像传感器与摄影和混合现实的方式
    • 总的来说，飞行时间(或 ToF)是一种基于光的飞行时间测量物体距离的方法。ToF传感器或摄像头会发射调制红外光束，并测量从不同距离的不同表面接收到的光的相位差。该数据被转换为距离，并为照明场景提供深度。ToF传感器使用逐像素处理，这需要复杂的算法，但由于其广泛的适用性，愈发受到物流、汽车和消费电子领域的亲睐。通过在三个维度上进行扫描，ToF传感器可以创建目标对象的 3D 图像。
    2023-05-11 731次
  • 英飞凌与池安量子开发抗量子攻击的信息安全解决方案
    • 英飞凌近日宣布与密码技术初创公司池安量子(Chelpis Quantum Tech.) 合作 ，推出结合英飞凌符合TPM 2.0 标准的硬件高端安全芯片OPTIGA™ TPM SLB 9672以及池安量子的软件密码技术所打造的 Edge-to-Cloud 信息安全解决方案，赋予终端设备从硬件层到云端应用层，跨越多个层级分布安全功能的能力。
    2023-05-05 803次
  • 英飞凌推出EZ-PD™ USB-C PD解决方案
    • 英飞凌介绍了EZ-PD™ CCG7D，这款双端口USB-C PD(充电)解决方案集成了用于车载充电应用的升压控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1规范，并获得了AEC Q-100认证。该USB-C PD解决方案可专门用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽车应用。
    2023-05-05 851次
    更多品牌资讯
  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
    • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
    • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
    • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
    • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
    • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飞凌 IST015N06NM5 产品介绍
    • 采用 sTOLL 封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 的 RDS(on) 为 1.5 mOhm。它具有英飞凌著名的坚固工业封装质量水平优势，使其成为电池供电应用（包括电动和园艺工具以及电动滑板车）中各种性能的理想解决方案。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IGT65R055D2 产品介绍
    • IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。 它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 1EDI3031AS 产品介绍
    • EiceDRIVER ™ 1EDI3031AS 采用英飞凌的无芯变压器技术，实现跨电流隔离的双向信号传输。安全特性和 ISO 26262 合规性使其达到 ASIL D 分类。安全文件有助于 FMEDA 分析。紧凑的设计和功能集成节省空间和成本。引脚兼容的版本可方便在 SiC MOSFET 和 IGBT 之间切换，以满足不同的应用需求。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 XMC4800-E196F2048 AA 产品介绍
    • XMC4800器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂，要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 Arm® Cortex-M® 微控制器上首个 EtherCAT 节点，具有片上闪存和模拟/混合信号功能。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IGLR70R140D2S 产品介绍
    • IGLR70R140D2S GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。 它采用底部冷却的 ThinPAK 封装，非常适合具有纤薄外形的消费类应用。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 STT1900N18P55 产品介绍
    • 晶闸管/晶闸管 55 毫米电源启动 1800 V、1900 A 模块适用于压力接触技术中的软启动应用。与现有的软启动器解决方案相比，该设计理念的主要优点是占地面积小（55 毫米），适合 1900 A 启动电流，从而允许接触器兼容设计（长 x 宽 x 高 134x55x100 毫米）。此款英飞凌® Power Start 模块还提供 1600 V 版本。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 GS-065-008-6-L-TR 产品介绍
    • GS-065-008-6-L 是一种增强型 GaN-on-Si 功率晶体管，具有允许高电流、高击穿电压和高开关频率的特性。它采用底部冷却的 PDFN 封装，具有非常低的结到外壳热阻，使其成为要求严格的高功率应用的理想选择。这些特性结合在一起，确保了电源切换的极高效率。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 XMC4700-E196F2048 AA 产品介绍
    • XMC4700器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂，要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 XMC4700 系列微控制器利用英飞凌在工业市场数十年的经验，提供优化的解决方案，以应对当今嵌入式控制应用的性能挑战。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 XMC4800-F144F1536 AA 产品介绍
    • XMC4800器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂，要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 Arm® Cortex-M® 微控制器上首个 EtherCAT 节点，具有片上闪存和模拟/混合信号功能。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 XMC4800-F144K1536 AA 产品介绍
    • XMC4800器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂，要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 Arm® Cortex-M® 微控制器上首个 EtherCAT 节点，具有片上闪存和模拟/混合信号功能。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 BGMC1210 产品介绍
    • BGMC1210 是功率放大器 (PA) 的偏置和控制 IC。该设备针对 Doherty PA 进行了优化，最多可偏置 2 个 PA，每个 PA 有 4 个 DAC 输出，但可用于任何 PA 配置。DAC 的分辨率为 12 位，电流驱动能力为 50 mA 拉电流和 20 mA 灌电流。DAC 分为两组，每组都有独立的电源，可以使用正电源电压和负电源电压进行操作，以便对 LDMOS 和 GaN 晶体管进行偏置。此外，BGMC1210 还提供集成钳位开关，用于 PA 的快速 TDD 操作，以及集成 ADC，用于测量电源电压和漏极电流。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 CYW20829 产品介绍
    • AIROC ™ CYW20829 蓝牙® LE MCU 及其附带的外围设备支持，支持对各种蓝牙®低能耗应用进行评估、原型设计和开发，所有这些都可以在英飞凌的低功耗、高性能 AIROC ™ CYW20829 上进行。AIROC ™ CYW20829 具有强大的 RF 性能和 10 dBm TX 输出功率，无需外部功率放大器 (PA)。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 TLE4971-A035W2-S0001 产品介绍
    • The new XENSIV™ TLE4971 in a 300 mil DSO-16 package is intended for automotive applications. The new package enables reinforced and basic insulation and 8 mm clearance and creepage for high voltage. Six different pre-programmed current ranges: 16 A, 20 A, 30 A, 35 A, 40 A and 50 A are available. With highest accuracy, the XENSIV™ TLE4971 is ideal for on-board chargers (OBC), high-voltage auxiliary drives and power distribution.
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 ESD121-B1-W0201 产品介绍
    • 双向、7 V、0.25 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 CYW20736 产品介绍
    • 英飞凌CYW20736是一款先进的低功耗蓝牙SoC芯片，支持无线充电配置文件。CYW20736旨在支持整个低功耗蓝牙SoC芯片应用，包括医疗保健、家庭自动化、配件、传感器、物联网和可穿戴产品等。
    2026-04-14 1次
  • Infineon英飞凌 CYW20835 产品介绍
    • AIROC ™ CYW20835 蓝牙® LE SoC 是一款符合蓝牙® Core 5.4 标准的设备，适用于物联网应用。CYW20835 采用业界先进的 40 nm CMOS 低功耗工艺制造，具有高集成度，可最大限度地减少外部元件，从而减少设备占用空间以及实施蓝牙®低功耗解决方案的相关成本。
    2026-04-14 0次
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