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品牌简介：英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、移动性和安全性，为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年（截止到2011年9月份），公司实现销售额39.97亿欧元，
品牌产品 品牌资讯 产品资讯 选型手册
  • 英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
    • 其中，英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF)，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，具有更高的带载能力，可驱动 MOSFET和IGBT，为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
    2023-12-27 822次
  • 英飞凌门极驱动正压对功率半导体性能影响
    • 对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
    2023-12-22 782次
  • Neutron Controls与英飞凌合作汽车电池管理平台
    • 英飞凌科技的解决方案可帮助工程师开发可靠的汽车电池管理系统(BMS)。英飞凌首选设计公司Neutron Controls现已发布ECU8™系统平台，能够加速基于英飞凌芯片组的电池管理系统(BMS)开发。通过该平台，Neutron Controls及其设计服务客户可以为电池管理单元提供完整的半导体硬件和软件平台解决方案，并符合ASIL-D, ISO26262标准，从而显著减少开发工作量。
    2023-10-30 1789次
  • 英飞凌完成收购氮化镓系统公司GaN Systems
    • 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems，以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。
    2023-10-30 2013次
  • 英飞凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
    • EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板，内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器，驱动六个额定电压为150V的 OptiMOS™ MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 2979次
  • 英飞凌携手英飞源拓展新能源汽车充电市场
    • 英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的效率。
    2023-10-12 941次
  • 英飞凌160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
    • MOTIX™三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX™品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5 mm² QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。
    2023-07-21 1219次
  • 英飞凌新能源“东风”下的碳化硅(SiC)
    • 所谓第三代半导体，指的是以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，具备高频、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，因此在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。
    2023-07-07 1220次
  • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板
    • 英飞凌6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET)。EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
    2023-06-28 1028次
  • 英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块
    • 英飞凌科技股份公司为了满足上述需求，在其 CoolSiC™功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1。这些功率模块采用新开发的3.3kV CoolSiC™ MOSFET和英飞凌的.XT互连技术，封装为XHP™ 2，专门针对牵引应用量身定制。
    2023-06-28 1306次
  • 辅助驾驶毫米波雷达信号处理器
    • 毫米波雷达大规模用于汽车辅助驾驶的传感器，由于受气象变化、可见光强弱影响较小，测距较精准，可以和摄像头取长补短，共同实现可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主动安全配置(AEB)性能测试要求，而2021年版C-NCAP调高了主动安全部分权重【1】。交通运输部发布了《营运车辆自动紧急制动系统性能要求和测试规程》(JT/T1242-2019)于2019年4月1日起正式实施。该标准规定了营运车辆自动紧急制动(AEB)系统的一般要求、功能要求、环境适应性要求和测试规程。
    2023-06-28 899次
  • 英飞凌OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET
    • 英飞凌OptiMOS™ 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。
    2023-06-28 779次
  • 英飞凌面向物联网产品的Wi-Fi 6/6E指南
    • Wi-Fi联盟在2021年1月宣布推出Wi-Fi 6E认证计划时指出：“Wi-Fi 6E将引领Wi-Fi的下一个20年。”表1给出了Wi-Fi的发展历史，以及它与电气和电子工程师协会IEEE 802.11标准之间的联系。IEEE制定了无线局域网标准和许多其他标准。Wi-Fi联盟支持IEEE所制定的Wi-Fi标准，包括认证以及世界各国政府如何分配可使用的频率等。
    2023-05-26 764次
  • 英飞凌ISO 26262 ASIL-B高分辨率车规级ToF图像传感器
    • 英飞凌是首家提供符合ISO 26262 ASIL-B功能性安全要求的高分辨率车规级ToF图像传感器的公司。ISO 26262 ASIL-B标准定义了功能安全领域的最新技术水平。车内任何可能影响乘员安全的器件都必须符合该标准。
    2023-05-26 1000次
  • 英飞凌碳化硅晶圆黑科技：冷切割技术
    • 英飞凌还有一个增加晶圆利用率的独门黑科技：冷切割(cold split)技术。几年前英飞凌收购了一家名为SILTECTRA的科技公司，其核心技术“冷切割”，是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌目前已经开始将这项技术用于SiC晶锭的切割上，从而让单个晶锭可出产的芯片数量翻番。在未来，这项技术还可以用于晶圆制作过程中的切割，进一步提高芯片产量。
    2023-05-19 1041次
  • 英飞凌AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙系统级芯片支持最新蓝牙5.4规范
    • 英飞凌近日宣布，AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙系统级芯片(SoC)将支持最新的蓝牙5.4规范。凭借其低功耗与高性能完美结合，AIROC™ CYW20829可支持完整的低功耗蓝牙(LE)用例，包括智能家居、传感器、医疗看护、照明、蓝牙mesh网络、远程控制、人机交互设备(鼠标、键盘、虚拟现实和游戏控制器)、工业自动化以及汽车等。
    2023-05-18 929次
  • 英飞凌技术智能高边开关的开路检测
    • 智能高边开关的负载开路检测，负载开路故障主要是由两种原因引起，一种是导线断裂，另一种是负载损坏。按照要求，当汽车转向灯断开时，需要用加倍的闪烁频率来提示故障。而其他类型的负载开路故障则通常由OEM进行定义，但控制单元首先要得到故障信息，而英飞凌的智能高边芯片(PROFET)可以对开路进行检测并报告。
    2023-05-11 1311次
  • 英飞凌与Schweizer合作车用碳化硅解决方案
    • 英飞凌和 Schweizer Electronic宣布携手合作，通过创新进一步提升碳化硅(SiC)芯片的效率。双方正在开发一款新的解决方案，旨在将英飞凌的 1200 V CoolSiC™ 芯片直接嵌入 PCB 板，以显著提高电动汽车的续航里程，并降低系统总成本。
    2023-05-11 1240次
  • ToF 3D图像传感器与摄影和混合现实的方式
    • 总的来说，飞行时间(或 ToF)是一种基于光的飞行时间测量物体距离的方法。ToF传感器或摄像头会发射调制红外光束，并测量从不同距离的不同表面接收到的光的相位差。该数据被转换为距离，并为照明场景提供深度。ToF传感器使用逐像素处理，这需要复杂的算法，但由于其广泛的适用性，愈发受到物流、汽车和消费电子领域的亲睐。通过在三个维度上进行扫描，ToF传感器可以创建目标对象的 3D 图像。
    2023-05-11 791次
  • 英飞凌与池安量子开发抗量子攻击的信息安全解决方案
    • 英飞凌近日宣布与密码技术初创公司池安量子(Chelpis Quantum Tech.) 合作 ，推出结合英飞凌符合TPM 2.0 标准的硬件高端安全芯片OPTIGA™ TPM SLB 9672以及池安量子的软件密码技术所打造的 Edge-to-Cloud 信息安全解决方案，赋予终端设备从硬件层到云端应用层，跨越多个层级分布安全功能的能力。
    2023-05-05 925次
  • 英飞凌推出EZ-PD™ USB-C PD解决方案
    • 英飞凌介绍了EZ-PD™ CCG7D，这款双端口USB-C PD(充电)解决方案集成了用于车载充电应用的升压控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1规范，并获得了AEC Q-100认证。该USB-C PD解决方案可专门用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽车应用。
    2023-05-05 905次
    更多品牌资讯
  • TDA21490AUMA1：90A OptiMOS™ 5智能功率级
    • TDA21490AUMA1是英飞凌OptiMOS™ 5功率级家族中的旗舰产品，专为满足人工智能、数据中心和高端计算平台对超高电流密度的供电需求而设计。该器件在一个5 mm × 6 mm的PQFN封装内集成了低静态电流同步降压栅极驱动IC、高侧MOSFET和低侧MOSFET，提供高达90A的峰值输出电流能力和70A的直流输出电流能力。其独特的电流检测架构和全面的故障保护机制，使其成为现代xPU、ASIC、SoC和DDR内存供电设计的核心器件
    2026-10-16 6次
  • TDA21240：面向高密度VR应用的40A DrMOS功率级
    • TDA21240是英飞凌科技推出的一款高度集成的DrMOS功率级器件，采用4.0 mm × 4.0 mm × 1.0 mm的PQFN封装，将25V OptiMOS™ 5 MOSFET技术与经过验证的MOSFET驱动硅片集成于单一封装之中。该器件主要面向笔记本、台式机和服务器电压调节器（VR）应用，以极小的占板面积提供高达40A的峰值输出电流能力。通过大幅降低开关损耗，TDA21240在高开关频率下依然能够维持卓越的效率，使系统设计者得以在节省板面空间的同时保持优异的功率转换性能。
    2026-10-16 4次
  • 70A集成智能功率级的电流检测精度与系统级可靠性：TDA21472AUMA1技术精读
    • 在多相电压调节器的系统设计中，电流检测精度直接影响两个关键指标：均流控制的准确性和过流保护阈值的可靠性。负载电流的高估会导致CPU性能降级，而低估则可能因对电压调节器和处理器施加过大压力而影响系统级可靠性。TDA21472AUMA1是英飞凌OptiMOS™ Powerstage系列中的一款70 A集成智能功率级，采用5 mV/A的片上MOSFET电流检测方案，带温度补偿功能，在电流检测精度方面相比传统电感DCR方案具有显著优势。它将栅极驱动器、肖特基二极管以及高侧和低侧MOSFET共同封装在5 mm × 6 mm × 1 mm的PQFN封装中，为服务器CPU核心、GPU和DDR内存阵列的供电提供了高精度的功率级解决方案。
    2026-10-15 6次
  • 35A智能功率级的多相电源应用：TDA21535在DDR内存与低电流电压轨中的工程解析
    • 在服务器和边缘计算设备的电源架构中，并非所有电压轨都需要90A级别的大电流能力。DDR内存阵列的VDDQ供电、处理器辅助电压轨以及电信板卡的POL电源，其电流需求往往落在20A至40A区间。TDA21535是英飞凌OptiMOS™ Powerstage系列中一款定位在35A电流档的集成智能功率级，它将低静态电流同步降压栅极驱动器、高侧与低侧MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装在4 mm × 5 mm × 0.9 mm的PQFN封装中，以5 µA/A的片上电流检测精度和最高1.5 MHz的开关频率，为中等电流密度的多相电压调节器提供了一套高集成度的功率级解决方案。
    2026-10-15 7次
  • 70A集成智能功率级：TDA21470在多相降压转换器中的工程实践
    • 在多相降压转换器的设计中，功率级器件的电流检测精度和死区时间控制是决定系统效率和均流性能的两个关键变量。TDA21470是英飞凌推出的一款70A集成智能功率级，将先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计集成在5 mm × 6 mm × 0.9 mm的PQFN封装中。它具备5 mV/A的电压模式电流监测输出、可编程恒流限制（OCSET）和双沿微调死区时间等特性，为服务器、存储和电信设备的电压调节器提供了一套高精度、高效率的功率级解决方案。
    2026-10-15 5次
  • 90A大电流智能功率级：TDA22560在服务器与AI加速卡供电中的技术解析
    • 在数据中心和AI加速卡的电源架构中，多相电压调节器的每一相都承载着数十安培的电流，而处理器核心电压却持续下探至1V以下。这种“低压大电流”的供电需求，对功率级器件的电流能力、效率、散热和集成度提出了极高要求。TDA22560是英飞凌POWERSTAGE CE系列中的一款90A集成智能功率级，采用OptiMOS™功率MOS技术，将高低压MOS管、智能栅极驱动电路、检测电路和保护单元集成在芯片嵌入式（Chip Embedded）封装中。它支持最高2MHz的开关频率，额定持续输出电流达90A，可与英飞凌XDPE系列数字主控制器配合，构建面向CPU、GPU和ASIC的高功率密度多相供电方案。
    2026-10-15 9次
  • 40A单芯片集成降压稳压器：TDA38840在分布式负载点电源中的技术定位
    • 在分布式负载点（POL）电源架构中，设计工程师面临的核心选择是：采用控制器加外部功率级的离散方案，还是选择将PWM控制器、MOSFET和自举二极管全部集成在单一芯片中的全集成方案。TDA38840属于后一条技术路线——它是英飞凌OptiMOS™ IPOL系列中的一款40 A单电压同步降压稳压器，采用5 mm × 6 mm PQFN封装，集成了PWM控制器、OptiMOS MOSFET和自举二极管，配合快速恒定导通时间（COT）控制方案，为服务器、存储和电信设备提供了一种易于使用的全集成电源解决方案。
    2026-10-15 5次
  • 70A大电流智能功率级：TDA21570在服务器CPU/GPU供电中的工程实践
    • 当CPU和GPU的核心电流需求突破100 A甚至更高时，多相电压调节器的每一相都必须具备足够高的单相电流能力，才能在有限的相数内满足总电流需求，同时保持合理的PCB占板面积。TDA21570是英飞凌OptiMOS™系列中的一款70 A集成智能功率级，采用OptiMOS 6技术，将低静态电流栅极驱动器、控制MOSFET、同步MOSFET和有源二极管结构集成在5 mm × 6 mm × 0.9 mm的PQFN封装中，为服务器、AI加速卡和高端计算平台的电压调节器提供高电流密度的功率级构建模块。
    2026-10-15 6次
  • 高频薄型20A智能功率级：TDA21520在多相电压调节器中的技术解析
    • 在服务器和AI加速卡的多相电源设计中，功率级的集成度、电流检测精度和开关频率能力是决定系统性能的三个关键变量。TDA21520是英飞凌OptiMOS™系列中的一款20A集成智能功率级，它将同步降压栅极驱动器、控制MOSFET（Q1）、同步MOSFET（Q2）和有源二极管结构封装在4 mm × 5 mm × 0.9 mm的PQFN封装中，以1.5 MHz的最高开关频率和5 µA/A的电流检测报告比例，为DDR内存阵列和低电流电压轨提供了一套高度集成的电源解决方案。
    2026-10-15 4次
  • TDA22594A：高集成度智能功率级的技术定位与选型指南
    • TDA22594A 是英飞凌智能功率级产品线中的一款高集成度器件，将同步降压转换所需的驱动器、MOSFET和检测电路集成在芯片嵌入式封装中。该器件面向需要高电流密度和高可靠性的电源应用，与TDA21590和TDA22590共同构成英飞凌在集成智能功率级领域的产品矩阵。由于TDA22594A的完整数据手册需要通过NDA（保密协议）和myICP权限获取，本文基于公开的产品信息、社区讨论和同系列产品的技术特征，对其技术定位和应用方向进行梳理。
    2026-10-15 6次
  • TDA22590：面向服务器AI电源的90A智能功率级深度解析
    • TDA22590 是英飞凌推出的一款OptiMOS™智能功率级，将同步降压栅极驱动器、控制MOSFET、同步MOSFET和肖特基二极管集成在4 mm × 6 mm × 0.465 mm的芯片嵌入式（CE）封装中。与同类产品相比，TDA22590的差异化特征在于其高达2 MHz的开关频率能力、5 µA/A的电流报告精度，以及面向多相系统的“高级故障报告”功能，使其成为服务器AI电源和数据中心电压调节器的核心构建模块。
    2026-10-15 6次
  • 90A集成智能功率级：TDA21590在服务器CPU/GPU供电中的工程解读
    • TDA21590 是英飞凌OptiMOS™系列中的一款高集成度同步降压功率级，它将驱动器、有源二极管、控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）全部封装在一个5 mm × 6 mm × 0.9 mm的PQFN封装内。这颗芯片的核心价值在于：用一颗器件替代了传统方案中驱动器+两颗分立MOSFET+肖特基二极管的组合，同时通过片上电流镜检测实现±3%的电流遥测精度，为CPU、GPU和DDR内存阵列的多相电压调节器提供了一体化的功率级解决方案。
    2026-10-15 8次
  • TDA21472：成熟可靠的70A智能功率级在服务器VRM中的工程实践
    • TDA21472是英飞凌科技OptiMOS™智能功率级系列中的一款70 A集成式功率级器件，将一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC与肖特基二极管以及高边和低边MOSFET共同封装在5 mm × 6 mm的PQFN封装中。该器件针对服务器应用中的CPU核心供电进行了优化，同时非常适合为GPU和DDR内存阵列提供电压调节
    2026-10-14 9次
  • TDA21490：面向AI服务器高功率密度供电的90A智能功率级
    • TDA21490是英飞凌科技基于OptiMOS™技术推出的一款集成式智能功率级（Integrated Smart Power Stage）器件，专为服务器、存储、人工智能和网络设备中高性能xPU、ASIC和SoC的电压调节器（VR）设计而优化。该器件将一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC与高边和低边MOSFET共同封装在5 mm × 6 mm × 1 mm的PQFN封装中，输出峰值电流能力高达90 A，输出直流电流能力为70 A，开关频率最高支持1.5 MHz。
    2026-10-14 10次
  • ISC018N08NM6：采用双面冷却封装的80V OptiMOS™ 6功率MOSFET技术解析
    • ISC018N08NM6是英飞凌科技OptiMOS™ 6系列中一款耐压80V的N沟道功率MOSFET，采用SuperSO8 5×6 FL封装，最大导通电阻仅为1.8 mΩ，连续漏极电流能力达230 A。该器件的核心差异化特征在于其双面冷却（Dual-Side Cooling）封装设计，这是OptiMOS™ 6 80V系列中一项重要的技术创新，使器件能够同时从顶部和底部散热，显著改善了功率密度和热管理效率。
    2026-10-14 11次
  • ISC027N10NM6：高电流密度OptiMOS™ 6 100 V功率MOSFET技术与应用
    • ISC027N10NM6是英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列中定位介于ISC022N10NM6与ISC030N10NM6之间的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SuperSO8 5x6封装，连续漏极电流能力达192 A，最大导通电阻为2.7 mΩ，在导通性能与栅极电荷之间实现了精细的平衡。其目标应用包括电信和服务器电源、太阳能系统、电动工具及无人机等高频开关场景。
    2026-10-14 9次
  • ISC030N10NM6：平衡性能与成本的OptiMOS™ 6 100 V功率MOSFET
    • ISC030N10NM6是英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列中的一款N沟道功率MOSFET，同样采用SuperSO8 5x6封装（PG-TDSON-8 FL），面向需要高开关频率和高效功率转换的应用场景。该器件在导通电阻和栅极电荷之间取得了良好的平衡，179 A的连续漏极电流能力和3.0 mΩ的最大导通电阻，使其成为电信基础设施、服务器电源以及多种电池供电应用的理想选择。
    2026-10-14 12次
  • ISC022N10NM6：OptiMOS™ 6 100 V系列低导通电阻功率MOSFET深度解析
    • ISC022N10NM6是英飞凌科技推出的OptiMOS™ 6系列100 V N沟道功率MOSFET，采用SuperSO8 5x6封装，具备230 A连续漏极电流能力和2.24 mΩ的最大导通电阻。该器件基于英飞凌最新的沟槽MOSFET技术，利用革命性的元胞设计，在分立式功率MOSFET领域树立了全新的技术标准。其核心优势在于将极低的导通电阻与卓越的开关性能集于一身，使高开关频率应用能够实现更高功率、更大功率密度和更具成本效益的设计。
    2026-10-14 12次
  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
    • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 595次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
    • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 773次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
    • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 708次
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