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品牌简介：安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪，在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。
品牌产品 品牌资讯 产品资讯 选型手册
  • 安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用
    • Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
    2023-10-20 685次
  • Nexperia安世半导体2035年碳中和目标
    • Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡，为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放，而且最终将力求未来消除范围3的排放，范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。
    2023-09-22 924次
  • 碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因
    • SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍，且在给定的截止电压下，SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高，因此SiC的电阻率更低，传导性能也更好。这意味着，在额定电压相同的情况下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 761次
  • 安世半导体IGBTs高功率带来更多选择
    • 绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日，事实上，通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC)，Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 660次
  • 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
    • 在高功率应用中，碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
    2023-06-15 645次
  • 安世半导体交互式数据手册分析MOSFET
    • 这些交互式数据手册使用 Nexperia 安世半导体的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、 RDS(on) 和温度等参数之间的相互作用。然后将以表格或图形的形式动态显示这些参数对器件行为的综合影响。
    2023-05-11 730次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽车以太网
    • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓扑结构，汽车以太网用法灵活，并能显著提高数据速率(与传统的 CAN HS/FD 相比)，因此能够桥接各种复杂的通信域，如图1所示。这一特性进一步强化汽车以太网在未来车载数据通信架构中的作用，而在未来，ADAS、信息娱乐系统和动力系统等关键应用将在汽车领域内显著增长。
    2023-04-27 1970次
  • 安世半导体排名全球第5、中国第1
    • 芯谋研究发布《中国功率分立器件市场年度报告2023》。报告显示，闻泰科技旗下安世半导体在2022年全球前20大功率分立器件公司排名中位列第5，相比2021年上升1名，在中国排名蝉联第1。
    2023-03-22 2243次
  • 安世东莞封测厂扩建项目总投资30亿元
    • 安世东莞封测厂扩建项目总投资30亿元，扩建项目签约仪式在东莞黄江举行。仪式现场，闻泰科技孙公司安世半导体（中国）有限公司与东莞市黄江镇人民政府签署了《安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目投资协议》。
    2023-03-22 851次
  • 安世半导体助力碳中和
    • 功率半导体对助力碳中和具有重大意义，安世半导体（Nexperia）作为全球知名的功率半导体IDM企业，通过推出大量低功耗功率半导体产品、采用低功耗工艺技术等方式助力碳中和。
    2023-03-22 954次
  • 安世半导体再获功率器件行业大奖！
    • 论坛同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会评选中，Nexperia（安世半导体）凭借高效率、高可靠性 GaN（氮化镓）器件在市场的不俗表现与强大的国际竞争力，突出重围，成功斩获「国际功率器件行业卓越奖」大奖。
    2023-03-22 794次
  • 安世半导体获得2022行家极光奖两项大奖！
    • 2022年行家说全球第三代半导体产业发展高峰论坛，暨2022行家极光奖（2022 Hangjia Aurora Award）颁奖晚宴在深圳顺利举办。Nexperia（安世半导体）突出重围，将「GaN产业推动先锋」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了作为基础半导体领域全球领导者的强大实力。
    2023-02-23 1112次
  • 安世Nexperia安全气囊的汽车ASFETs斩获年度功率半导体/驱动器大奖！
    • 由AspenCore主办的2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）已于11月10日 - 11日在深圳顺利举办。在大会同期举办的2022全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）评选中，Nexperia（安世半导体）的适用于安全气囊的汽车ASFETs斩获年度功率半导体/驱动器大奖。
    2023-02-23 864次
  • Nexperia 2022全球电子成就奖评选
    • 2022 年全球电子成就奖（WEAA）网络评选，安世半导体不负众望，携汽车 ASFETs再度强势入围。此前，安世半导体已经连续2年成功斩获年度功率半导体/驱动器大奖。
    2023-02-23 1079次
  • 怎么选择沟槽肖特基整流器
    • Trench 沟槽肖特基整流器系列在VF和IR之间实现了很好的平衡。与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基器件具有更宽的安全工作范围（SOA）。由于对热失控的鲁棒性，这使得它们在环境温度较高的应用中成为理想选择。
    2023-02-21 1016次
  • 通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)
    • 通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
    2023-02-21 1302次
  • 电机控制和转换效率的汽车应用
    • 对于越来越多的汽车应用来说，电源转换和电机控制应用的效率是一项始终需要关注的设计规范要求。现代内燃机汽车越来越多地使用低压三相电机控制系统，包括燃油泵、座位调节电机和空调电机。
    2023-02-21 828次
  • 安世为汽车A/V接口提供ESD保护
    • 从设计方面来看，高速视频链接设计需要考虑如何在恶劣的环境下，保持所需的信号完整性。视频数据路径中添加的每个组件都会引入损耗，这将影响同轴电缆的选择、连接器的质量，以及信号如何路由到链接的物理接口(PHY)。保持信号完整性是重中之重，但仍需要通过增加适当级别的保护，防止潜在的ESD脉冲和故障条件（例如电池轨短路）。
    2023-02-21 911次
  • 安世面向USB4数据线的ESD保护器
    • 以前ESD保护器件的射频性能是通过观察其电容来进行比较的，但这种方法在10 GHz左右已达到了极限。因为ESD保护器件的电容和固有电感能够有效地形成带阻滤波器。
    2023-02-21 781次
  • 安世36 V电池隔离MOSFET
    • 出现故障的情况下，当故障导致深度放电时，由于在高电流下电路电感两端产生的电压，PSMN1R5-50YLH电池隔离MOSFET通常会进入线性模式。因此，维持稳定的安全工作区至关重要。
    2023-02-21 806次
  • Nexperia的MJD系列功率双极性晶体管技术
    • 在大功率LED灯串中实现稳健持续运行，要求无论温度和输入电压如何波动变化，电流都能保持稳定。分立式高电压电流吸收器拓扑使用Nexperia的MJD系列功率双极性晶体管以及精密TLVH并联稳压器，以高性价比的简单解决方案来确保LED亮度恒定。
    2023-02-21 778次
    更多品牌资讯
  • Nexperia安世半导体50 µA齐纳系列二极管B-selection
    • 新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用，例如电动汽车(EV)的车载充电器，以及广泛的工业和消费应用，例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。
    2024-09-19 574次
  • Nexperia安世​最新NextPower 80和100V MOSFET产品
    • Nexperia(安世半导体)近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。
    2024-08-07 42771次
  • Nexperia安世半导体在APEC 2024发布新型MOSFET
    • Nexperia安世半导体宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。
    2024-02-29 659次
  • Nexperia安世CFP3-HP汽车平面肖特基二极管
    • 近日，Nexperia安世宣布，现可提供采用 CFP3-HP 封装的 22 种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括 11 种工业产品以及 11 种符合 AEC-Q101 标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的 CFP 封装器件取代 SMx 型封装器件的发展趋势，特别是在汽车应用中。这些二极管适用于 DC-DC 转换、续流、反极性保护和OR-ing(打嗝)应用等。
    2024-02-28 625次
  • Nexperia安世半导体宣布推出首款碳化硅(SiC)NSF040120L3A0和NSF080120L3A0
    • Nexperia(安世半导体)宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
    2023-12-07 602次
  • Nexperia安世半导体超低结电容ESD保护二极管
    • Nexperia(安世半导体)宣布扩展其超低电容 ESD 保护二极管产品组合。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的 USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。
    2023-10-20 574次
  • Nexperia超低结电容ESD保护二极管
    • Nexperia(安世半导体)宣布扩展其超低电容 ESD 保护二极管产品组合。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的 USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。
    2023-10-12 624次
  • 安世半导体推出先进的 I²C GPIO扩展器NCA9595
    • Nexperia安世半导体近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合，旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款 GPIO 扩展器 NCA9595 采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻，可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展 I/O 数量时，利用该产品组合可实现简洁的设计，同时尽可能减少互连。这有助于设计工程师增添新功能，而且不会增加 PCB 设计复杂性和物料成本。
    2023-04-28 765次
  • Nexperia安世半导体推出先进的650 V碳化硅二极管
    • Nexperia安世半导体宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC 肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。
    2023-04-20 903次
  • Nexperia推出PSMN2R3-100SSE采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET
    • Nexperia（安世半导体）推出的这款 PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的 8x8 mm 封装尺寸中兼顾低 RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满足严苛的热插拔应用要求。
    2023-03-23 813次
  • 安世推出PESD2CANFD36XX-Q车载网络ESD
    • Nexperia安世半导体近日推出符合 AEC-Q101 标准的产品组合，其中包含六个 ESD 保护器件（PESD2CANFD36XX-Q），旨在保护 LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay 和 SENT 等车载网络（IVN）中的总线免受静电放电（ESD）和其他瞬变造成的损坏。
    2023-03-11 1105次
  • 安世热插拔的特定型应用MOSFET (ASFET)
    • Nexperia安世扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。
    2023-02-21 830次
  • Nexperia安世推出CFP功率二极管系列
    • 基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。
    2023-02-21 867次
  • Nexperia安世超紧凑晶圆级MOSFET管
    • Nexperia安世推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
    2023-02-21 865次
  • Nexperia安世超低钳位和超低电容ESD二极管
    • Nexperia安世半导体）扩展其超低钳位和超低电容ESD 保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护 USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V 监视器、显示器和摄像头等高速数据线。
    2023-02-21 845次
  • Nexperia安世TrEOS系列ESD保护器再添新产品
    • Nexperia安世宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
    2023-02-21 907次
  • Nexperia两款新高速数据线的TrEOS系列ESD保护器
    • Nexperia安世半导体宣布 Nexperia TrEOS 产品组合再添新产品，即 PESD4V0Y1BBSF 和 PESD4V0X2UM 极低钳位电压 ESD 保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，具备卓越的 IEC61000-4-5 浪涌等级。
    2022-12-27 850次
  • Nexperia发布汽车和工业的650V超快恢复整流管
    • 这些汽车级和工业级的整流管可以合理地改善超快速软开关行为和低正压降，以尽量减少高频应用中的功率损耗。SMA/B与包装设备相比，选择新产品CFP管脚尺寸可节省电路板空间，支持可靠的高密度设计，不影响电气性能。
    2022-11-30 689次
  • Nexperia安世推出热插拔ASFET产品组合
    • 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。
    2022-11-24 777次
    安世产品 选型指南-2023
    2023-09-06 1350次 4次
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    安世 车规级Power-SO8高性能 产品手册
    2023-09-06 1063次 3次
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    安世 PicoGate主导的逻辑 产品指南
    2023-09-06 1103次 1次
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    安世 逻辑转换器 产品手册
    2023-09-06 1089次 2次
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    安世 小巧轻便的汽车二极管和晶体管 产品手册
    2023-09-06 1072次 2次
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    安世 MicroPak无引线逻辑 产品指南
    2023-09-06 1129次 2次
    立即下载
    安世 Nexperia选型指南
    2023-02-20 1588次 41次
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